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本文阐述了用ＲＢＳ／ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ技术研究异质外延ＧａＮ及其三元合金薄膜的重要性和必要性，报道了实验测量的ＧａＮ及其三元合金ＡｌＧａＮ，ＩｎＧａＮ膜的结构，给出了较为准确的元素种类，成分配比，薄膜厚度，合金元素的浓度随深度的分布，结晶品质，晶轴取向等信息，测出了几种薄膜的背散射沟道墙和随机谤炎比ｘｍｉｎ值和沟道坑的半角宽ψ１／２，对于其他测试方法无法给定的中间层的情况及不同衬底对成膜的影响，