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提出一种使用CF4等离子体激活处理硅片表面来降低退火温度的低温硅片直接键合新方法.硅片用CF4等离子体激活处理,经过亲水处理预键合后,再在N2保护下进行40h 300℃的热处理,硅片的键合强度达到了体硅本身的强度.
一种新颖的低温硅片直接键合技术
【摘 要】
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提出一种使用CF4等离子体激活处理硅片表面来降低退火温度的低温硅片直接键合新方法.硅片用CF4等离子体激活处理,经过亲水处理预键合后,再在N2保护下进行40h 300℃的热处理,
【机 构】
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北京工业大学
【出 处】
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中国机械工程
【发表日期】
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2005年z1期
【基金项目】
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北京市教委资助项目(KM200310005009)
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