【摘 要】
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报告了一种新型电子清洗工艺．该工艺采用了被命名为ＤＺ—１和ＤＺ—２的两种新型电子清洗剂分别与９５％体积的去离子水配制成清洗液，先后用超声波清洗．用高频Ｃ—Ｖ测试和原子吸收光谱分析研究了清洗
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报告了一种新型电子清洗工艺．该工艺采用了被命名为ＤＺ—１和ＤＺ—２的两种新型电子清洗剂分别与９５％体积的去离子水配制成清洗液，先后用超声波清洗．用高频Ｃ—Ｖ测试和原子吸收光谱分析研究了清洗效果．用该工艺清洗过的硅片生长的二氧化硅层中固定电荷密度在１０１０ｃｍ－２数量级；去重金属离子能力与常规ＣＭＯＳ／ＳＯＳ栅氧化工艺相当．新型清洗工艺具有操作简单、价格低廉、且无毒、无腐蚀和对人体无危害、对环境无污染的优点．
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