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研究了纯SnO2及掺入5%at的Cu^+2,Y^+3,Si^+4的SnO2纳米微粉晶料尺寸随温度的变化情况:600℃以前晶粒生长缓慢,600℃以后晶粒长大迅速,掺入Y^3+,Si^+4可有效地抑制晶粒的长大,900℃退火2h晶粒尺寸仍小于30nm,晶料尺寸下降可使电导温度峰往低温移动,当晶粒尺寸小于5nm时,电导峰出现在170℃附近,而掺杂可使电导温度峰展宽成平台,掺Si的纳米SnO2材料在200