GaAs／AlAs量子阱中受主束缚能和光致发光

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dousansan33

【摘要】

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从实验和理论上，研究了量子限制效应对GaAs／AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响。实验中所用的样品是通过分子束外延生长的一系列GaAs／AlAs多量子阱，量子阱宽度为3—20nm，并

【作者】

：

郑卫民吕英波宋淑梅王爱芳陶琳

【机构】

：

山东大学威海分校空间科学与应用物理系

【出处】

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发光学报

【发表日期】

：

2008年1期

【关键词】

：

量子限制效应 δ-掺杂 GaAs/AlAs多量子阱光致发光谱 effect of quantum confinement delta-doped GaAs

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从实验和理论上，研究了量子限制效应对GaAs／AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响。实验中所用的样品是通过分子束外延生长的一系列GaAs／AlAs多量子阱，量子阱宽度为3—20nm，并且在量子阱中央进行了浅受主Be原子的δ-掺杂。在4，20，40，80，120K不同温度下，分别对上述样品进行了光致发光谱测量，观察到了受主束缚激子从基态到激发态的两空穴跃迁，并且从实验上测得了在不同量子阱宽度下受主的束缚能。理论上应用量子力学中的变分原理，数值计算了受主对重空穴束缚能随量子阱宽度的变化关系，比较发现，理

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