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探讨了金属氧化物半导体场效应管超薄氧化门在等离子体加工中造成的充电损伤机理,应用碰撞电离模型解释了超薄氧化门对充电损伤比厚氧化门具有更强免疫力的原因.
超薄氧化门的等离子体充电损伤机理
【摘 要】
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探讨了金属氧化物半导体场效应管超薄氧化门在等离子体加工中造成的充电损伤机理,应用碰撞电离模型解释了超薄氧化门对充电损伤比厚氧化门具有更强免疫力的原因.
【机 构】
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天文与应用物理系,近代物理系,精密机械与精密仪器系
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2002年5期
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