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本文介绍了研制异质结双极晶体管(HBT)的工艺过程。使用MOCVD生长的GaAlAs/GaAs多层结构外延材料,采用离子注入隔离和湿法腐蚀技术,实现基极与发射极台面自对准工艺,研制出截止频率为22GHz的HBT。
高截止频率异质结双极晶体管的研制
【摘 要】
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本文介绍了研制异质结双极晶体管(HBT)的工艺过程。使用MOCVD生长的GaAlAs/GaAs多层结构外延材料,采用离子注入隔离和湿法腐蚀技术,实现基极与发射极台面自对准工艺,研制出截
【机 构】
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机电部第13研究所,机电部第13研究所石家庄,050051,石家庄
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1991年5期
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