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针对单片高压功率集成电路芯片,利用Flo THERM软件,建立三维结构的封装模型,并对各模型进行了仿真。研究了在不同基片材料、不同粘结层材料、不同封装外壳条件下封装模型的温度变化情况,分析得出一个最优的封装方案。结果表明,当基片材料采用BeO陶瓷、粘结层采用AuSn20合金焊料、封装外壳采用金属Cu时,该封装模型的温度最低、散热效率最高。