【摘 要】
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2004年以来,石墨烯因其优异的光学、电学性质而被广泛地研究,但由于其零带隙的特性极大地限制了它的应用前景。单层的VIB族过渡金属硫化物（TMDs）拥有类似石墨烯的晶体结构及可
【机 构】
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安庆师范大学物理与电气工程学院,安庆美晶新材料有限公司
【基金项目】
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国家自然科学基金(11447197);安徽省自然科学基金(1608085MA21);安徽省教育厅资助项目(AQKJ2014B019)
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2004年以来,石墨烯因其优异的光学、电学性质而被广泛地研究,但由于其零带隙的特性极大地限制了它的应用前景。单层的VIB族过渡金属硫化物（TMDs）拥有类似石墨烯的晶体结构及可控的能带结构,是一类理想的二维直接带隙半导体材料,不仅可用于探索如谷极化等一些基础和前沿的物理问题,也可以广泛应用于纳米器件、光电子学和光催化的研究。近年来,化学气相沉积（CVD）技术作为一种相较于传统化学合成或物理剥离更加有效的制备方法被引入此类材料的生长,能够合成出拥有大面积连续的、厚薄均匀和较高晶体质量的单层TMDs。基于此,
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