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多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光（CMP）技术带来了巨大的挑战，低k介质的脆弱性难以承受传统CMP技术所施加的机械力。一种结合了电化学和机械平坦化技术的新颖铜平坦化工艺——电化学机械抛光（ECMP）应运而生，ECMP在很低的压力下实现了对铜的平坦化，解决了多孔低介电常数介质的平坦化问题，被誉为未来半导体平坦化技术的发展趋势之一。主要综述了电化学机械抛光技术的产生、原理、研究进展和展望，对铜的ECMP技术进行了回顾和讨论。