电化学机械抛光相关论文
半导体行业是国家产业升级与转型的重点发展领域,Si C作为第三代半导体材料的典型代表,具有禁带宽度大、热导率高、饱和电子迁移速......
电化学机械抛光与化学机械抛光工艺相比提供了更大的控制能力,而一个多区的阴极允许对圆片内部均匀性进行精确的控制。马拉松式运......
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,因具有宽禁带、低介电常数、高热导率以及高击穿场强等优点,在航空航天、探测和通信等领域有广......
随着国防和电子工业领域的发展,纯铜精密零件对表面粗糙度的要求随之提高.在硫代水杨酸(TSA)的络合作用下,电化学机械抛光(ECMP)可......
碳化硅作为新一代半导体材料，具有优越的电学性能，包括宽禁带、高击穿电场、高饱和漂移速度和高热导率，这些特征使得SiC器件可以工作......
电化学机械抛光与化学机械抛光工艺相比提供了更大的控制能力,而一个多区的阴极允许对圆片内部均匀性进行精确的控制.马拉松式运行......
利用自制的抛光液和改造的抛光机对NiP基板进行电化学机械抛光,研究了抛光电压、抛光台转速、抛光压力和抛光液流速对材料去除速率......
电化学机械抛光与化学机械抛光工艺相比提供了更大的控制能力,而一个多区的阴极允许对圆片内部均匀性进行精确的控制.马拉松式运行......
扳手的电化学机械抛光山东工程学院（２５５０１２）王斌修李淑玉大连理工大学（１１６０２３）周锦进１引言扳手电镀前的抛光是个费工费时的工序，通常为手工抛光和振动......
介绍了一种新的电化学机械模具抛光设备,并能迅速掌握其操作技术和技巧.对解决长期困扰在模具抛光行业中的难题和缩短制模周期及发......
Low dielectric constant materials/Cu interconnects integration technology provides the direction as well as the challeng......
为在包括 5-methyl-1H-benzotriazole ( TTA )的不同 pH 价值的 Cu 电气化学的机械 planarization ( ECMP )的电解质和材料移动机......
The current-voltage (I-V) curves, such as linear sweep voltammetry (LSV) and cyclic voltammetry (CV), were employed to e......
概述了全球CMP设备市场和65nm技术节点CMP技术面临的挑战，给出了65nm技术节点铜工艺的解决方案及CMP后清洗技术。......
介绍了当前CMP的最新动态,包括CMP设备市场、电化学机械抛光、新型φ300mm晶圆CMP设备和阻挡层研磨版等.......
电化学机械抛光与化学机械抛光工艺相比提供了更大的控制能力,而一个多区的阴极允许对圆片内部均匀性进行精确的控制。马拉松式运......
在铜电化学机械抛光(ECMP)工艺中,羟基乙叉二膦酸(HEDP)可与其他水处理剂协同抑制电解并使金属表面光滑,而传统的操作电位低于4 V(......
用于精密物理实验的大径厚比纯铜平面构件具有刚性差、对力和热载荷敏感、塑性强、切削加工性差等特点;这些特点导致使用普通的机......
电化学机械抛光（ECMP）技术可以在低压力下进行，有可能替代化学机械抛光（CMP）技术，满足含易碎、低介电常数材料的小尺寸特征结构的ULSI中C......
多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光（CMP）技术带来了巨大的挑战，低k介质的脆弱性难以承受传统CMP技术所施加......
针对具有复杂曲面模具,设计了几种结构、形状的阴极工具,并利用这些工具,采用脉冲电化学机械抛光的方法,对其中一种模具进行了抛光......
介绍了一种使用螺旋式线型工具电极的电化学机械抛光新工艺。通过试验分析了加工过程中电化学机械复合作用机理及主要工艺参数对加......
随着超大规模集成电路的发展,芯片的特征尺寸不断减小,由此导致金属连线的RC延迟效应成为影响芯片处理速度的关键问题。为了减小RC......
概述了全球CMP设备市场和65nm技术节点CMP技术面临的挑战,给出了65nm技术节点铜工艺的解决方案及CMP后清洗技术。......
