【摘 要】
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基于采样管衬底电压自举结构,提出了一种高线性低阻抗采样开关技术。在保证采样开关等效输入阻抗较小的同时,实现了采样开关的源/漏极与衬底之间的寄生电容不随输入信号幅度
【机 构】
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模拟集成电路国家重点实验室; 中国电子科技集团公司第二十四研究所;
【基金项目】
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模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(0C09YJTJ1603)
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基于采样管衬底电压自举结构,提出了一种高线性低阻抗采样开关技术。在保证采样开关等效输入阻抗较小的同时,实现了采样开关的源/漏极与衬底之间的寄生电容不随输入信号幅度的变化而变化;减小了动态比较器输入管的等效导通电阻,提高了动态比较器输入管的跨导,解决了动态比较器的速度与噪声折中的难题。基于65nm CMOS工艺,设计了一种10位120MS/s SAR ADC。在1V电源电压下,功耗为1.2mW,信号噪声失真比SNDR>55dB,无杂散动态范围SFDR> 68dB,在奈奎斯特采样情况下,优值(FoM)为22fJ/(conv·step)。
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