衬底负偏压对溅射Ta2O5薄膜晶化温度及介电性能的影响

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiazibin

【摘要】

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采用磁控溅射法,在衬底温度为620°C时,通过引入合适的衬底负偏压(100～200V),获得了结晶良好的Ta2O5薄膜.衬底负偏压增强了正离子对衬底表面的轰击作用,加速了其在衬底表

【作者】

：

许仕龙朱满康黄安平王波严辉

【机构】

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北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室

【出处】

：

无机材料学报

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

TA2O5 介电薄膜晶化温度衬底负偏压 Ta2O5 dielectric films crystallization temperature bias

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采用磁控溅射法,在衬底温度为620°C时,通过引入合适的衬底负偏压(100～200V),获得了结晶良好的Ta2O5薄膜.衬底负偏压增强了正离子对衬底表面的轰击作用,加速了其在衬底表面的松弛扩散效应,从而降低了Ta2O5薄膜的晶化温度,改善了其结晶性.同时,C-V测试结果表明:衬底负偏压进一步改善了Ta2O5薄膜的介电性能.

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