0.18μm CMOS射频低噪声放大器设计

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基于TSMC 0.18μm RFCMOS工艺,设计了一种工作于2.4 GHz频段的低噪声放大器。电路采用Cascode结构,为整个电路提供较高的增益,然后进行了阻抗匹配和噪声系数的性能分析,最后利用ADS2009对其进行了模拟优化。最后仿真结果显示。该放大器的正向功率增益为14 dB,噪声系数小于2 dB,1 dB压缩点为-13 dBm,功耗为7.8 mW,具有良好的综合性能指标。
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