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基于65nm工艺下单粒子瞬态脉宽检测电路，在重离子辐照下，对目标单元单粒子瞬态脉宽进行了测试。针对实验结果中单粒子瞬态脉宽分布出现多峰的现象进行了分析。详细对比了反相器多峰现象与LET值、温度、阈值电压间的关系。通过TCAD仿真分析了多峰现象的原因，即PMOS由于寄生双极效应，在高LET粒子攻击下产生的瞬态脉冲脉宽大于粒子攻击NMOS产生的瞬态脉冲脉宽。高温条件会使得寄生双极效应更加严重，因此在高温条件下脉宽分布的多峰现象更加明显。