【摘 要】
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用直流磁控溅射方法制备了以(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx为缓冲层的Ni0.81Fe0.19薄膜,研究结果表明:当缓)中层厚度约为4.4 nm,Cr的浓度约为36(原子百分数)时,Ni0.81Fe0.19薄膜的各
【机 构】
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北京科技大学材料物理与化学系,北京科技大学材料物理与化学系,北京科技大学材料物理与化学系,北京科技大学材料物理与化学系,北京科技大学材料物理与化学系,北京科技大学材料物理与化学系 北京 100083,
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用直流磁控溅射方法制备了以(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx为缓冲层的Ni0.81Fe0.19薄膜,研究结果表明:当缓)中层厚度约为4.4 nm,Cr的浓度约为36(原子百分数)时,Ni0.81Fe0.19薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值较大,其最大值达3.35％.原子力显微镜(AFM)及x射线衍射(XRD)研究表明:Ni0.81Fe0.19薄膜AMR值最大时,其表面平均晶粒尺寸最大,Ni0.81Fe0.19(111)衍射峰最强.
The Ni0.81Fe0.19 thin film with (Ni0.81Fe0.19) 1-xCrx as the buffer layer was prepared by DC magnetron sputtering. The results show that when the middle layer thickness is about 4.4 nm, the concentration of Cr is about 36 (atomic percent), the maximum value of anisotropic magnetoresistance (AMR) of Ni0.81Fe0.19 film was 3.35% .Analysis of atomic force microscopy (AFM) and x-ray diffraction (XRD) When the maximum AMR value of 81Fe0.19 film is the largest, the average grain size of the surface is the largest, and the diffraction peak of Ni0.81Fe0.19 (111) is the strongest.
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