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采用普通固相合成法制备了Bi1-xGdxNbO4微波介质陶瓷，研究了N2烧结气氛下，Gd部分取代BiNbO4陶瓷中的Bi对其烧结性能及微波介电性能的影响。结果表明，不同Gd掺杂量的样品，相结构差别不大，均以低温斜方相为主晶相。随着Gd含量的增加，陶瓷样品的烧结温度升高，表观密度和相对介电常数均略有减小，品质因数与频率之积（Q×f）值也会发生变化。当x（Gd）=0．008时，900℃烧结的Bi0.992Gd0.008NbO4陶瓷样品具有较好的介电性能：介电常数εr=43．6（4．3GHz），Q&#