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在Fe：LN晶体中掺进不同质量分数（0．08％、0．12％、0．16％）的CuO以提拉法生长Cu：Fe：LN晶体，对晶体进行极化，还原或氧化处理后，对晶体的抗光致散射能力，衍射效率，写入时间和擦除时间进行了测试，计算光折变灵敏度和动态范围。结果表明，Cu：Fe：LN晶体全息存储性能优于Fe：LN晶体。以Cu：Fe：LN晶体中Cu作为深能级，Fe作为浅能级，可实现双光子全息存储，且衍射效率不随时间发生变化。