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采用新近研制的高真空/快速热处理/化学气相淀积(HV/RTP/CVD)系统生长了应变SiGe材料.通过仔细设计的处理过程可以得到器件质量的材料.Ge组分可以变化至0.25,可以得到控制良好的n型和p型掺杂层,适用于异质结双极型晶体管(HBT)的制作.研究了SiGe HBT的n-Si/i-p+-i SiGe/n-Si结构.所制作出的微波HBT性能良好,证明了设备和工艺的水平.