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文中采用射频反应溅射法制备氧化钒薄膜，并用三段式控温退火炉对薄膜进行快速升降温退火处理。文中重点就退火条件对氧化钒薄膜的电学性能的影响进行了研究。研究结果表明：退火时间和退火温度均对薄膜电学性能有较大影响，考虑到氧化钒薄膜热敏性能要求，兼顾微测辐射热计制备工艺（即微电子机械系统（简称MEMS）工艺）要求，退火时间约1—2小时，退火温度应控制在400℃～500℃之间。