【摘 要】
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介绍了通过TMS320F2812对NAND FLASH芯片进行控制的一种方式,并以K9K8G08U0B为例,通过C语言对其进行功能实现,针对NAND FLASH本身的结构特性导致操作复杂并存在固有坏块等特
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介绍了通过TMS320F2812对NAND FLASH芯片进行控制的一种方式,并以K9K8G08U0B为例,通过C语言对其进行功能实现,针对NAND FLASH本身的结构特性导致操作复杂并存在固有坏块等特点,提出一种对NAND FLASH进行读写操作,擦除操作,坏块检测处理操作等主要操作的方法.该方法已经应用于实际项目中,经检验可以有效避免坏块影响,对NAND FLASH的读写问题可以提供基础和一定支持.
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