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基于Jazz 0．35μm SiGe工艺，设计了一款工作在3～10GHz频带范围内的超宽带低噪声放大器。该放大器采用电阻负反馈结构，并在发射极并联电容，以补偿晶体管高频增益的下降。仿真结果显示，在整个工作频带内，放大器的增益在22．3dB以上，平坦度保持在1dB以内，噪声系数在3．7dB到4．6dB之间，输入输出反射系数（S11及S22）均在-12dB以下。整个设计最大的优点是没有用到片上电感，使得芯片面积大大缩小，对于商业应用具有极大的吸引力。