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根据溅射余弦分布理论建立了平行溅射和斜溅射模型,计算了矩形磁控靶溅射和圆形磁控靶溅射的膜厚均匀性;讨论了各种溅射模式的膜厚均匀性趋势和优劣,为磁控溅射系统的设计布局提供了支撑。
不同磁控溅射模式的膜厚均匀性仿真计算研究
【摘 要】
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根据溅射余弦分布理论建立了平行溅射和斜溅射模型,计算了矩形磁控靶溅射和圆形磁控靶溅射的膜厚均匀性;讨论了各种溅射模式的膜厚均匀性趋势和优劣,为磁控溅射系统的设计布
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十八研究所
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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2017年06期
【基金项目】
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湖南省自然科学基金资助项目(14JJ2142)
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