【摘 要】
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报道了在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中用交替淀积a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了a-Si:H/SO2多层膜.随着a-Si:H子层的厚度从3.8 nm减小到1.5 nm,a-Si:H/
【机 构】
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南京大学物理系固体微结构国家重点实验室
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报道了在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中用交替淀积a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了a-Si:H/SO2多层膜.随着a-Si:H子层的厚度从3.8 nm减小到1.5 nm,a-Si:H/SiO2多层膜的光吸收边和光致发光(PL)出现了蓝移.在晶化的a-Si:H/SiO2多层膜中不仅观察到室温下的红光带(800nm)的发光峰,而且还观察到蓝光发射(425 nm),结合Raman,TEM和PL测试,对其原因作了简单的分析.
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