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利用脉冲激光沉积的方法在Si（100）氧化成SiO2的基片上制备了（La2/3Sr1/3MnO3）x/（ZnO）1-x混合物薄膜,研究了薄膜的磁电阻和伏安特性.X射线衍射分析表明,除了衬底SiO2的衍射峰以外,分别出现了La2/3Sr1/3MnO3（101）的衍射峰和ZnO（002）的衍射峰,且它们形成了两相共存体系.实验表明：x=0.3的混合物薄膜表现为半导体导电特性,而x=0.4的样品则出现了典型的金属-绝缘相变.所制备的样品表现出了低场磁电阻效应和非线性伏安特性.在0.7T磁场的作用下,x=0.3的