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基于二元化合物 InP、InAs、GaAs、GaP 的热膨胀系数,利用 Vegard’s 定律计算出 In1-xGazAsyP1-y的热胀膨系数的表达式;并对0.92—1.67μ的 In1-xGaxAsyP1-y异质结的负晶格匹配量作了估计,以便为生长优质的外延层,控制最佳的生长条件。
Inl-xGaxAsyPl-y热膨胀系数的计算
【摘 要】
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基于二元化合物 InP、InAs、GaAs、GaP 的热膨胀系数,利用 Vegard’s 定律计算出 In1-xGazAsyP1-y的热胀膨系数的表达式;并对0.92—1.67μ的 In1-xGaxAsyP1-y异质结的负晶格
【机 构】
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半导体研究所;
【出 处】
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仪表材料
【发表日期】
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2004年期
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