【摘 要】
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用流延工艺制备了ＺｎＯＢｉ２Ｏ３系统的多层独石式片状结构的ＺｎＯ压敏电阻器，测量了元件的电学性能，结果表明：用常规ＺｎＯ瓷料，选用合适的厚膜制备工艺和内电极材料能得到性能良好的低压ＺｎＯ压敏电阻器。
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用流延工艺制备了ＺｎＯＢｉ２Ｏ３系统的多层独石式片状结构的ＺｎＯ压敏电阻器，测量了元件的电学性能，结果表明：用常规ＺｎＯ瓷料，选用合适的厚膜制备工艺和内电极材料能得到性能良好的低压ＺｎＯ压敏电阻器。
ZnO varistor of ZnO Bi2O3 system with multilayer monolithic structure was prepared by casting process, and the electrical properties of the device were measured. The results show that with the conventional ZnO ceramic material, the suitable thick film preparation process and Internal electrode materials can get good performance of low-voltage ZnO varistors.
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