Au/ETSSO/p-Si结构的整流特性分析研究

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用射频磁控溅射法制备了超薄富硅氧化硅薄膜(ETSSO),利用Au/ETSSO/p-Si结构的I-V特性曲线对其电流输运机制进行了定性分析,从而解释了具有整流特性的原因。
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