【摘 要】
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总剂量辐照效应会在器件氧化层中引入固定电荷和界面态。对于深亚微米CMOS器件而言，栅氧化层非常薄，固定电荷和界面态的变化不明显，而STI（Shallow Trench Isolation）场氧隔离区中
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总剂量辐照效应会在器件氧化层中引入固定电荷和界面态。对于深亚微米CMOS器件而言，栅氧化层非常薄，固定电荷和界面态的变化不明显，而STI（Shallow Trench Isolation）场氧隔离区中电荷变化却相对明显，构成了器件静态泄漏电流产生的主要原因。针对此现象，通过引入表面势分量φnd，描述了总剂量辐照效应下STI场氧隔离区固定电荷和界面态变化特性，对STI场氧隔离区引入的寄生晶体管进行建模，修正了漏电流方程，新的模型可以较准确地描述深亚微米CMOS器件在总剂量辐照应力下的退化特性。
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