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在用掩膜法制作光子晶格的实验中，我们分别在薄、厚LiNbO3：Fe晶体中成功地制作了带有缺陷的（2＋1）维光折变光子晶格且比较了二者的异同，并结合透镜成像的相关理论找出了造成这些异同的因素，又对这些因素做了详细的分析。这对更好的利用掩膜成像法制作光折变光子品格有一定的指导意义。
掩膜成像法在LiNbO3：Fe晶体制作缺陷态光子晶格
【摘 要】
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在用掩膜法制作光子晶格的实验中，我们分别在薄、厚LiNbO3：Fe晶体中成功地制作了带有缺陷的（2＋1）维光折变光子晶格且比较了二者的异同，并结合透镜成像的相关理论找出了造成这些异同
【机 构】
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内蒙古师范大学物理与电子信息学院
【出 处】
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信息记录材料
【发表日期】
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2008年5期
【基金项目】
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内蒙古师范大学研究生科研创新基金（YJS07022）和国家自然科学基金（60467002）资助项目.
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