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在集成电路（IC）制造中，需要多次重复去除掩模用光刻胶这一步骤，因此清洁、高效地去胶工艺非常重要。90nm高性能逻辑器件的制造过程使用超过30次光刻工艺。从晶圆表面去除光刻胶的能力在很大程度是由光刻胶性质和工艺历史决定的。在离子注入工艺中，图形化的光刻胶起掩模的作用，特别难以清除。大剂量的离子注入（〉1×l014ions／cm^2）将光刻胶表面脱氢并高度交联，其性能很像非晶碳。改性光刻胶的厚度由注入剂量、注入能量和注入离子种类决定。