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以硫酸溶液为电解质，采用两步电化学阳极氧化法制备了氧化铝有序多孔膜，孔径为20nm，孔间距为50nm左右，孔洞密度为4．5×10^10个／cm2。以此多孔膜为模板，以脉冲信号为沉积电压制备了金属Ni纳米线阵列，单根纳米线直径为15～20nm，择优取向为Ni（220）晶面。磁滞回线结果表明垂直于膜面的方向为易磁化方向，当磁场垂直于膜面时，矩形比高达90．5％，矫顽力为63．84kA／m。