【摘 要】
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磁阻式随机存储器(MRAM)作为非电荷存储的非易失存储器在抗辐射性能上有一定的优势,在空间有较好的应用前景。文章分析了MRAM的工作原理,选取典型的MR0A08BCYS35型MRAM存储器
【机 构】
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南京理工大学自动化学院,航天材料及工艺研究所,中国航天宇航元器件工程中心
【基金项目】
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国家自然科学基金面上项目“化合物器件不同能量质子位移损伤因子与非电离能损相关研究”(编号:11475256);国家自然科学基金重点项目“先进非易失存储器辐照效应与加固技术基础研究”(编号:61634008)
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磁阻式随机存储器(MRAM)作为非电荷存储的非易失存储器在抗辐射性能上有一定的优势,在空间有较好的应用前景。文章分析了MRAM的工作原理,选取典型的MR0A08BCYS35型MRAM存储器为研究对象,进行了重离子单粒子效应敏感性试验研究,在此基础上,利用专用软件ForeCAST计算预估了该种器件空间应用条件下的单粒子在轨翻转率,给出了在轨应用的具体建议。
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