【摘 要】
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提出一种基于改进型负反馈电路的宽带低噪声放大器.放大器芯片采用0.25μm Ga Asp HEMT工艺设计和Si P技术封装.通过调节封装内芯片外围负反馈电路实现增益平坦度优化,将低噪
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（61401395, 61604128）；浙江省教育厅资助项目（Y201533913）.
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提出一种基于改进型负反馈电路的宽带低噪声放大器.放大器芯片采用0.25μm Ga Asp HEMT工艺设计和Si P技术封装.通过调节封装内芯片外围负反馈电路实现增益平坦度优化,将低噪放工作频带拓展至0.5~2.5GHz,可有效覆盖GSM、TDGSCDMA、WCDMA、GPS等多个应用频段.片内的稳压及温度补偿有源偏置电路可对供电电压波动及环境温度变化进行有效补偿,以适应复杂工作环境.经测试,低噪声放大器的供电电压为3.3V,功耗为40m W,工作频率为0.5~2.5GHz,带宽高达5个倍频程,带内增益约为14d B,增益平坦度≤1d B,噪声系数≤1.3d B,输入输出回波损耗≤-10d B,输入三阶交调点≥1d Bm,封装后尺寸为3mm×3mm×1mm.
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