【摘 要】
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本文工作主要研究了InSb红外探测器表面钝化工艺问题,逐一探讨了射频功率、R(SiH4:N2O)配比、沉积温度、工作压强等工艺参数对InSb芯片表面钝化工艺的影响。将不同条件下获得
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本文工作主要研究了InSb红外探测器表面钝化工艺问题,逐一探讨了射频功率、R(SiH4:N2O)配比、沉积温度、工作压强等工艺参数对InSb芯片表面钝化工艺的影响。将不同条件下获得的材料分别制成MIS结构和红外探测器并进行C-V和I-V测试,结果表明在射频功率为80 W、R配比为20:10、沉积温度为200℃、工作压强为10 Pa时,钝化后的试样C-V特性曲线良好,I-V特性曲线反向平缓,性能较好,满足探测器芯片研制的要求,进一步证实了该条件下的钝化效果较佳。
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