6月5日，SanDisk闪迪公司宣布，SanDisk闪迪正采用全球最先进的半导体制造工艺生产SanDisk闪迪最高性能的嵌入式存储产品。
　　iNAND Extreme目前采用19nm工艺技术制造，满足大容量、高性能的嵌入式NAND闪存产品需要，特别适用于高端平板电脑和智能手机。运行安卓操作系统以及即将问市的Microsoft Windows 8操作系统的RT版本产品都将受益于iNAND Extreme的大容量、高性能与小尺寸优势。
　　iNAND Extreme嵌入式闪存能够明显提高多任务处理、网页浏览、文件传输以及图像捕获等方面的性能，为智能手机和平板电脑用户带来更为愉悦的体验。iNAND Extreme的存储容量范围为16GB至128GB。128GB存储器足以容纳数部高清电影及数千首（张）歌曲和照片。
　　用19nm制造技术打造出的iNAND Extreme电路极为紧凑。来比较一下，一张纸的厚度约为0.1mm（10万nm），这意味着一张纸的厚度上可以排布5000个19nm厚的物体。
　　iNAND Extreme将被用于最新NVIDIA Tegra3 4-Plus-1 四核处理器的参考设计，作为运行最新版操作系统的高端平板电脑和移动设备的推荐型高性能存储设备。