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GaAs/Si 异种结构和他们的光电的性质的制造被拉曼，光致发光和大厅效果大小调查。在 Si 底层上种的 GaAsepilayers 的 crystallinity 被底层取向和生长方法显著地影响。在使用一个二拍子的圆舞生长方法扔的 Si (211 ) 底层上种的 GaAs epilayers 的光电的性质被改进。这些结果显示那 GaAs epilayers 成年 onS i (100 ) 和由使用二拍子的圆舞生长方法的底层在高速度、高周波的光电的设备为潜在的应用正在答应的 Si (211 ) 。