【摘 要】
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设计并用分子束外延（MBE）法制备了不同沟道结构的GaAs PHEMT材料，采用高分辨率X射线双晶衍射仪（DCXRD）、应力测试仪和霍尔测试仪对样品的结晶质量、薄层组分和厚度偏差、应力以及
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设计并用分子束外延（MBE）法制备了不同沟道结构的GaAs PHEMT材料，采用高分辨率X射线双晶衍射仪（DCXRD）、应力测试仪和霍尔测试仪对样品的结晶质量、薄层组分和厚度偏差、应力以及电子迁移率进行了分析表征。探讨了外延片应力与沟道结构的相关性，研究了沟道失配应力对电性能的影响机理。建立了GaAs PHEMT材料热应力引起电子传输特性退化的试验方法，进行了高温和低温存储后材料电性能的演化行为测试，并归纳了热应力引起材料电特性退化的实验结果。结果表明GaAs PHEMT材料经高、低温存储并恢复室温后仍能
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