【摘 要】
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研究了在自对准硅MMIC中等平面深槽隔离工艺的实现.该工艺包括如下过程:首先应用各向异性刻蚀的Bosch工艺刻蚀出用于隔离埋集电极的1.6 μm宽、9μm深的隔离槽,接着对隔离槽
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051
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研究了在自对准硅MMIC中等平面深槽隔离工艺的实现.该工艺包括如下过程:首先应用各向异性刻蚀的Bosch工艺刻蚀出用于隔离埋集电极的1.6 μm宽、9μm深的隔离槽,接着对隔离槽通过热氧化二氧化硅、淀积氮化硅和多晶硅的形式进行填充,然后再采用高密度等离子体刻蚀设备对多晶硅进行反刻,其刻蚀时间通过终点检测系统来控制,最后再刻蚀出0.8 μm深的有源区硅台面和采用1.5～1.6 μm厚的氧化层对场区进行填充,藉此来保证隔离槽和有源区处于同一个平面上.此深槽隔离工艺与目前的多层金金属化系统兼容,且该工艺不会造成明显的硅有源区台面缺陷,测试结果表明:在15V下的集电极-集电极漏电流仅为10 nA,该值远低于全氧化填充隔离槽工艺的5μA.
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