780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：coolcool1234567

【摘要】

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采用MOCVD生长了InGaAsP／InGaP／AlGaAs材料系分别限制异质结构（SCH）的高功率半导体激光器．对于厚度为10nm的单量子阱，通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长．在室温下外延材料的

【作者】

：

曹玉莲廉鹏王青吴旭明何国荣曹青宋国峰陈良惠

【机构】

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中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室,北京工业大学光电子技术实验室

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2006年9期

【关键词】

：

InGaP/AlGaAs 界面增益阈值电流激光器

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采用MOCVD生长了InGaAsP／InGaP／AlGaAs材料系分别限制异质结构（SCH）的高功率半导体激光器．对于厚度为10nm的单量子阱，通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长．在室温下外延材料的荧光峰值波长为764nm，由于In原子的记忆效应（In carry-over effect）和As／P的替换作用使材料的InGaP／AlGaAs界面不陡峭，通过在InGaP／AlGaAs间长一层5nm的GaAsP大大改善了界面质量．器件的阈值电流从界面改善前的560mA减小到改善后的450mA，斜率效率也

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