重庆光电技术研究所部分新产品简介

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GT5560T型InGaAs/InP APD一工作原理该器件是一种反偏置工作器件。在高反偏压作用下器件“拉通”,光照下吸收区所产生的光生载流子越过异质结在倍增高电场加速下,高速撞击半导体材料晶格产生新的电子-空穴对,这种过程不断重复,产生雪崩倍增,从而获得放大的信号电流。二结构及特点 GT5560T type InGaAs / InP APD A working principle This device is a kind of anti-bias working device. Under the action of high reverse bias, the device “pulls on”. Under the light irradiation, the photo-generated carriers in the absorption region cross the heterojunction and accelerate the lattice of the semiconductor material to generate new electron-hole pairs under the acceleration of double electric field. This process is repeated, resulting in avalanche multiplication, resulting in amplified signal current. Two structures and characteristics
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