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介绍了新型SiGe开关功率二极管结构及机理，在对器件正反向特性进行模拟的基础上进一步进行了优化设计，并对其动态特性进行了模拟。与正反向特性模拟果综合比较得出，取20％的Ge含量和20nm的SiGe层厚时，器件性能最优。
SiGe开关功率二极管的计算机模拟及优化设计
【摘 要】
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介绍了新型SiGe开关功率二极管结构及机理，在对器件正反向特性进行模拟的基础上进一步进行了优化设计，并对其动态特性进行了模拟。与正反向特性模拟果综合比较得出，取20％的Ge含量
【机 构】
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西安理工大学自动化与信息工程学院
【出 处】
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西安理工大学学报
【发表日期】
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2002年2期
【基金项目】
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陕西省自然科学基金重点资助项目 (2 0 0 0 x0 9)
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