【摘 要】
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采用射频(13.56 MHz)反应溅射方法制备a-SiC:H 薄膜,并将其在空气中进行高能γ射线(平均为1.25 MeV)辐照,5个样品的吸收剂量分别为0,2×104,4×104,6×104,8
【基金项目】
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湛江师范学院校科研和教改项目,航空航天科学基金
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采用射频(13.56 MHz)反应溅射方法制备a-SiC:H 薄膜,并将其在空气中进行高能γ射线(平均为1.25 MeV)辐照,5个样品的吸收剂量分别为0,2×104,4×104,6×104,8×104 Gy.采用拉曼及红外光谱对薄膜的结构进行表征,得到了其结构与特性的变化规律.研究与分析表明:随样品吸收剂量的增加,陷入空穴中的电子会被激发,a-SiC:H薄膜中的SiC成份增加,电阻率变小,数量级为105Ω*cm;薄膜存在结晶化的趋势,其主要原因在于由Si-O-Si
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