【摘 要】
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针对三维阻变存储器的材料特性和器件结构,采用了一种基于CMOS 40 nm工艺的自适应读写电路,该电路具有高可靠性、低功耗以及反馈自适应的技术特点。通过多层译码结构、写入验
【机 构】
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北京信息科技大学传感器重点实验室,中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室
【基金项目】
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国家重点研发计划(2018YFB0407500)
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针对三维阻变存储器的材料特性和器件结构,采用了一种基于CMOS 40 nm工艺的自适应读写电路,该电路具有高可靠性、低功耗以及反馈自适应的技术特点。通过多层译码结构、写入验证电路、小信号灵敏放大读出电路以及自适应控制机制,可以实现三维阻变存储器的高速低功耗的读写以及多种不同阻态的写入,从而有效解决了阻变存储器写操作过程中存在的过写入问题,大幅提高了三维阻变存储器写入和读出的成功率。根据仿真结果分析,带有反馈机制的写入电路可以实现90%以上的写入成功率。在1.1 V的工作电压下,写入功耗仅为99.752μW
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