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电子辐照快速恢复二极管莫长涛李钢黑龙江商学院基础部（哈尔滨１５００７６）本试验为ＺＫ５０Ａ快速恢复二极管。芯片厚３２０μｍ，ｎ型衬底电阻率３０～５０Ω·ｃｍ。将二极管芯片置于ＪＪ１．２型电子静电加速器扫描盒下，在大气室温环境下用电子束照射。为试验辐照...
电子辐照快速恢复二极管
【摘 要】
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电子辐照快速恢复二极管莫长涛李钢黑龙江商学院基础部（哈尔滨１５００７６）本试验为ＺＫ５０Ａ快速恢复二极管。芯片厚３２０μｍ，ｎ型衬底电阻率３０～５０Ω·ｃｍ。将二极管芯片置于ＪＪ１．２型电子静电加速器扫描盒下，在大气室温
【机 构】
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黑龙江商学院基础部
【出 处】
：
半导体技术
【发表日期】
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1997年5期
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