【摘 要】
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耦合腔光波导是由光子晶体点缺陷的缺陷模式相互耦合而实现的,群速度是其重要的性能指标。本文模拟了由N掺杂半导体硅构成的光子晶体耦合腔光波导的能带结构。模拟发现,借助N
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耦合腔光波导是由光子晶体点缺陷的缺陷模式相互耦合而实现的,群速度是其重要的性能指标。本文模拟了由N掺杂半导体硅构成的光子晶体耦合腔光波导的能带结构。模拟发现,借助N掺杂半导体硅的法拉第效应,逆着光的传播方向施加磁场,缺陷模式所对应的相对介电参数会变小,群速度也随之逐渐降低,可以获得2.088×10^-4c的群速度,证实了法拉第磁光效应对波导群速度的调控作用。这一性能为如何在太赫兹或更低频段实现慢光效应提供了一种新的有效方式。
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