PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：good_loloo

【摘要】

：

对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性.分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电

【作者】

：

陈蒲生刘剑张昊冯文修

【机构】

：

华南大学应用物理系,广东省邮电科学研究院,中国电子科技集团公司第五研究所

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

2004年6期

【关键词】

：

PECVD 等离子体增强化学汽相淀积薄介质膜击穿机理电学性能 PECVD thin dielectric film I-V characteristic

【基金项目】

：

广东省自然科学基金

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对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性.分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电学性能;探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室气压、混合气体比例、衬底温度的变化关系;给出了击穿等电性优良的PECVD形成SiOxNy薄介质膜的优化工艺条件.

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