【摘 要】
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本文介绍Ku波段GaAs单片集成电路的设计、研制和测量结果。该单片电路的匹配网络采用对FET进行计算机分析和电路模拟相结合的方法进行设计。研制成功了一个两级单片电路,其尺
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本文介绍Ku波段GaAs单片集成电路的设计、研制和测量结果。该单片电路的匹配网络采用对FET进行计算机分析和电路模拟相结合的方法进行设计。研制成功了一个两级单片电路,其尺寸为1.9×3.2×0.1mm,在14.5～15.4GHz的频率范围内,输出功率P_0≥100mW,增益G_P≥5dB,带内增益起伏△G_P≤±0.75dB。
This article describes the Ku-band GaAs monolithic integrated circuit design, development and measurement results. The matching circuit of the monolithic circuit is designed by a combination of computer analysis and circuit simulation of the FET. A two-level monolithic circuit has been successfully developed. Its size is 1.9 × 3.2 × 0.1mm, output power P_0≥100mW, gain G_P≥5dB, in-band gain fluctuation △ G_P≤ ± 0.75 within the frequency range of 14.5 ~ 15.4GHz dB.
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