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由于ITO具有复杂的微观结构和吸收机制，很难准确测量出它的光学常数。采用变入射角光度椭偏仪（VASE）建立了一套简单的拟舍模型，成功拟合出ITO光学常数在可见光范围内随波长的变化关系。并在此基础上分析了电子柬蒸发法蒸发速率对ITO薄膜光学常数的影响。根据Hall效应测量了ITO在不同蒸发速率下的载流子浓度，分析了ITO光学常数随蒸发速率增加而增加的机理。