Sol—gel法制备Pb（Zr0．53Ti0．47）O3铁电薄膜

来源 :材料导报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wuchen2007

【摘要】

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利用Sol—gel工艺在Pt／Ti／SiO2／si衬底上制备了Pb（Zr0.53Ti0.47）O3（PZT）薄膜，研究了退火温度、保温时间和薄膜厚度对其晶相、微观结构和铁电性能的影响。在500℃退火处理的PZT薄膜开

【作者】

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郭冬云毛薇秦岩黄志雄王传彬沈强张联盟

【机构】

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武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉理工大学材料科学与工程学院

【出处】

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材料导报

【发表日期】

：

2010年22期

【关键词】

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Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜 Sol—gel工艺退火温度保温时间薄膜厚度铁电性能 Pb（Zr0. 53Ti0.47）O3 thin film

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利用Sol—gel工艺在Pt／Ti／SiO2／si衬底上制备了Pb（Zr0.53Ti0.47）O3（PZT）薄膜，研究了退火温度、保温时间和薄膜厚度对其晶相、微观结构和铁电性能的影响。在500℃退火处理的PZT薄膜开始形成钙钛矿相；在550℃退火处理的PZT薄膜基本形成钙钛矿相结构；升高退火温度（500-850℃）、延长保温时间（30～150min）、增加薄膜厚度（120-630nm）都有利于PZT晶粒的长大。在650～750℃退火的PZT薄膜具有较好的铁电性能，保温时间对PZT薄膜的铁电性能影响不大，P

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